太陽能級硅的制備方法及其微波熔煉爐

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810796651.4 申請日 -
公開（公告）號 CN108823635B 公開（公告）日 2020-01-07
申請公布號 CN108823635B 申請公布日 2020-01-07
分類號 C30B29/06（2006.01）; C30B28/06（2006.01）; C01B33/037（2006.01） 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 羊?qū)? 庹開正 申請（專利權(quán)）人 江蘇斯力康科技有限公司
代理機構(gòu) 成都行之專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 江蘇斯力康科技有限公司
地址 224000 江蘇省鹽城市大豐區(qū)大豐港經(jīng)濟區(qū)中央大道1號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了太陽能級硅的制備方法及其微波熔煉爐，解決了現(xiàn)有的太陽能級硅的物理冶煉法能耗高、對于金屬雜質(zhì)較高的金屬硅原料的提純效果有限的問題。本發(fā)明包括以下步驟：選取金屬硅、粉碎，加入造渣劑裝入石英坩堝，并置于可水平旋轉(zhuǎn)的微波熔煉爐中進行真空熔煉，保溫熔煉過程中對微波熔煉爐進行旋轉(zhuǎn)，最后分段關(guān)閉磁控管控制金屬硅逐步凝固，最后將所得硅錠遠離微波熔煉爐中心的端部以及與坩堝粘黏的部分去除、清洗、干燥、包裝得到太陽能級硅。本發(fā)明還公開了一種用于制備上述太陽能級硅的微波熔煉爐。本發(fā)明具有制備的太陽能級硅的純度高，能耗低等優(yōu)點。