一種磁控濺射設(shè)備

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202021399924.0 申請(qǐng)日 -
公開(公告)號(hào) CN212533105U 公開(公告)日 2021-02-12
申請(qǐng)公布號(hào) CN212533105U 申請(qǐng)公布日 2021-02-12
分類號(hào) C23C14/35(2006.01)I;C23C14/54(2006.01)I 分類 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面化學(xué)處理;金屬材料的擴(kuò)散處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆;金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 張誠(chéng) 申請(qǐng)(專利權(quán))人 三河市衡岳真空設(shè)備有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京元合聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 代理人 李非非
地址 065200河北省廊坊市三河市燕郊高新區(qū)全景工業(yè)園三期33E
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型提供了一種磁控濺射設(shè)備,該磁控濺射設(shè)備包括濺射室、以及在該濺射室內(nèi)相對(duì)設(shè)置的基片臺(tái)和濺射靶槍,該濺射靶槍內(nèi)設(shè)置有靶材,其中,該磁控濺射設(shè)備還包括:擋板以及勻氣環(huán),該擋板以及勻氣環(huán)設(shè)置在該濺射室內(nèi);擋板包括側(cè)遮擋部以及上遮擋部,其中,側(cè)遮擋部環(huán)繞濺射靶槍設(shè)置且其上端超出靶材的濺射面,上遮擋部從側(cè)遮擋部的上端向內(nèi)延伸至靶材邊緣處;勻氣環(huán)與外部工藝氣體提供裝置相連通且其上開設(shè)有多個(gè)出氣孔,勻氣環(huán)設(shè)置在擋板和濺射靶槍之間并對(duì)靶材形成環(huán)繞,勻氣環(huán)的設(shè)置高度位于靶材濺射面和上遮擋部之間。使用本實(shí)用新型所提供的磁控濺射設(shè)備可以確保穩(wěn)定的濺射速率。??