一種磁控濺射設(shè)備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010101325.4 申請日 -
公開（公告）號 CN111155067A 公開（公告）日 2020-05-15
申請公布號 CN111155067A 申請公布日 2020-05-15
分類號 C23C14/35;C23C14/50 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 張誠 申請（專利權(quán)）人 三河市衡岳真空設(shè)備有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京元合聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 李非非
地址 065200 河北省廊坊市三河市燕郊高新區(qū)全景工業(yè)園三期33E
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種磁控濺射設(shè)備，該磁控濺射設(shè)備包括濺射室、位于該濺射室內(nèi)相對設(shè)置的用于承載基片的基片臺和濺射陰極、濺射電源以及設(shè)置在濺射室內(nèi)的電子偏轉(zhuǎn)磁場生成裝置，該電子偏轉(zhuǎn)磁場生成裝置包括極性相反的第一磁極和第二磁極，該第一磁極和第二磁極在所述基片和所述濺射陰極之間形成水平方向的電子偏轉(zhuǎn)磁場，該電子偏轉(zhuǎn)磁場用于使濺射過程中朝向基片運動的電子發(fā)生偏轉(zhuǎn)。本發(fā)明所提供的磁控濺射設(shè)備可以使濺射過程中朝向基片運動的電子發(fā)生偏轉(zhuǎn)，從而降低到達(dá)基片的電子數(shù)量，進(jìn)而降低電子對基片所形成的損傷。