一種磁控濺射設(shè)備
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202020183262.7 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN211420299U | 公開（公告）日 | 2020-09-04 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN211420299U | 申請(qǐng)公布日 | 2020-09-04 |
| 分類號(hào) | C23C14/35(2006.01)I;C23C14/50(2006.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 張誠(chéng) | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 三河市衡岳真空設(shè)備有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京元合聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 李非非 |
| 地址 | 065200河北省廊坊市三河市燕郊高新區(qū)全景工業(yè)園三期33E | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型提供了一種磁控濺射設(shè)備，該磁控濺射設(shè)備包括濺射室、位于該濺射室內(nèi)相對(duì)設(shè)置的用于承載基片的基片臺(tái)和濺射陰極、濺射電源以及設(shè)置在濺射室內(nèi)的電子偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)生成裝置，該電子偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)生成裝置包括極性相反的第一磁極和第二磁極，該第一磁極和第二磁極在所述基片和所述濺射陰極之間形成水平方向的電子偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)，該電子偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)用于使濺射過程中朝向基片運(yùn)動(dòng)的電子發(fā)生偏轉(zhuǎn)。本實(shí)用新型所提供的磁控濺射設(shè)備可以使濺射過程中朝向基片運(yùn)動(dòng)的電子發(fā)生偏轉(zhuǎn)，從而降低到達(dá)基片的電子數(shù)量，進(jìn)而降低電子對(duì)基片所形成的損傷。?? |
