一種半導(dǎo)體處理裝置、處理方法及應(yīng)用

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010877684.9 申請日 -
公開（公告）號 CN112002660A 公開（公告）日 2020-11-27
申請公布號 CN112002660A 申請公布日 2020-11-27
分類號 H01L21/67(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 溫子瑛;金龍;楊帆;王銀海;潘文賓;黃宇程;孫富成 申請（專利權(quán)）人 南京國盛電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京蘇高專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 南京國盛電子有限公司;無錫華瑛微電子技術(shù)有限公司
地址 210000江蘇省南京市江寧經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)正方中路166號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體處理裝置，包括本體，在所述本體的上端面形成凹進(jìn)部，所述凹進(jìn)部的底壁上具有至少一個位置，在底壁的每個所述位置處開設(shè)的與所述凹進(jìn)部連通的第一通道；在所述凹進(jìn)部底壁的邊緣處的所述本體上開設(shè)的與所述凹進(jìn)部連通的第二通道，所述凹進(jìn)部底壁邊緣處設(shè)置有用于液體流動替換的流道。本發(fā)明可實現(xiàn)處理液對硅能均一實現(xiàn)氧化，生成均勻致密的氧化層；處理液能夠做到有效的流動和替換；處理流程自動化程度高，受外界影響小，步驟簡單。??