一種提高外延片過渡區(qū)一致性的工藝方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110883669.X 申請日 -
公開（公告）號 CN113322512A 公開（公告）日 2021-08-31
申請公布號 CN113322512A 申請公布日 2021-08-31
分類號 C30B25/02（2006.01）I;C30B25/14（2006.01）I;C30B25/16（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I;H01L21/02（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 魏建宇;鄧雪華;王銀海;楊帆 申請（專利權(quán)）人 南京國盛電子有限公司
代理機構(gòu) 南京蘇高專利商標事務(wù)所（普通合伙） 代理人 張弛
地址 211100江蘇省南京市江寧區(qū)正方中路166號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種提高外延片過渡區(qū)一致性的工藝方法，包括如下步驟：預備襯底片：選用重摻As襯底片，電阻率為0.002~0.004Ω?cm，外延生長：源采用超高純?nèi)葰涔瑁L目標厚度的外延層，同時通入相應(yīng)的摻雜源。摻雜源通入量分兩段：第一段采用變摻雜的模式，起始摻雜流量設(shè)定值為0.1Ω·cm≤對應(yīng)電阻率≤0.5Ω·cm的重摻雜質(zhì)量，終點摻雜流量設(shè)定值為外延層目標電阻率對應(yīng)的摻雜量，摻雜量變化速率恒定，變化區(qū)間可選擇為總厚度的15%~30%；第二段摻雜通入量恒定，摻雜量設(shè)定值為外延層目標電阻率對應(yīng)的摻雜量。采用本發(fā)明提供的工藝方法，片內(nèi)中心、邊緣的偏差明顯縮小。