一種生長(zhǎng)薄層高阻硅外延片的方法及所制得的外延片

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110883682.5 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113322513A 公開(kāi)（公告）日 2021-08-31
申請(qǐng)公布號(hào) CN113322513A 申請(qǐng)公布日 2021-08-31
分類(lèi)號(hào) C30B25/14（2006.01）I;C30B25/16（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I;C30B31/16（2006.01）I;C30B31/18（2006.01）I;H01L21/02（2006.01）I 分類(lèi) 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 馬夢(mèng)杰;王銀海;鄧雪華;楊帆 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 南京國(guó)盛電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京蘇高專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 張弛
地址 211100江蘇省南京市江寧區(qū)正方中路166號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種生長(zhǎng)薄層高阻硅外延片的方法，包括如下步驟：預(yù)備襯底片：選用摻As襯底；設(shè)置反應(yīng)腔體壓強(qiáng)10~50Torr，襯底表面用生長(zhǎng)溫度為1050~1100℃，采用二氯二氫硅（DCS）作為硅源生長(zhǎng)第一外延層；設(shè)置反應(yīng)腔體壓強(qiáng)10~80Torr，在第一外延層上用生長(zhǎng)溫度為1050~1100℃，采用二氯二氫硅（DCS）作為硅源生長(zhǎng)第二外延層。該方法能夠抑制重?fù)紸s襯底雜質(zhì)擴(kuò)散和蒸發(fā)，降低固態(tài)擴(kuò)散和氣相自摻雜，在外延厚度薄的情況下獲得窄過(guò)度區(qū)寬度、高外延電阻率及均一外延電阻率分布，既保證器件的擊穿電壓，又兼顧器件的導(dǎo)通電阻。