一種背照式BIB紅外探測器硅外延片的制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010106370.9 申請日 -
公開（公告）號 CN111384212A 公開（公告）日 2020-07-07
申請公布號 CN111384212A 申請公布日 2020-07-07
分類號 H01L31/18(2006.01)I 分類 -
發(fā)明人 韓旭;鄧雪華;尤曉杰 申請（專利權(quán)）人 南京國盛電子有限公司
代理機構(gòu) 南京蘇高專利商標事務(wù)所（普通合伙） 代理人 南京國盛電子有限公司
地址 210000江蘇省南京市江寧經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)正方中路166號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種背照式BIB紅外探測器用硅外延片的制造方法，選擇N型<100>摻PH拋光片，電阻率＞10000Ω.cm，不背封襯底，減少襯底自摻雜影響。通過HCL原位高溫拋光，以去除表面雜質(zhì)和缺陷，改善襯底表面質(zhì)量。通過大流量高溫吹除工藝，減少爐腔內(nèi)自摻雜影響。使用兩步三層外延法，背電極層、低阻吸收層同步生長，本征阻擋層分步生長，兩步之間大流量H2降溫吹除；本征層外延裝片前大流量氣腐腔體，外延時低速低溫生長。本發(fā)明通過特殊工藝，在高阻襯底上，制備出了薄層低濃度的背電極層，通過控制自摻雜使得過渡區(qū)較為陡直，且本征阻擋層有較寬平區(qū)，滿足BIB器件設(shè)計的要求。??