一種200mm肖特基管用摻磷硅外延片的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810245132.9 申請日 -
公開（公告）號 CN108428630B 公開（公告）日 2021-01-01
申請公布號 CN108428630B 申請公布日 2021-01-01
分類號 H01L21/329 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 尤曉杰;鄧雪華;劉勇;潘文賓 申請（專利權(quán)）人 南京國盛電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京蘇高專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 南京國盛電子有限公司
地址 211100 江蘇省南京市江寧區(qū)正方中路166號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種200mm肖特基管用摻磷硅外延片的制備方法，包括如下步驟：預(yù)備摻磷硅襯底片：選用摻磷硅襯底片，電阻率0.0012～0.0015Ωcm，襯底片的局部平整度≤0.8μm，背封層為二氧化硅+多晶硅，二氧化硅和多晶硅的厚度均為第一層包封層：在襯底表面和邊緣生長一層厚度為0.5～0.8μm的包封層，同時(shí)通入小流量HCl，HCl流量為0.5～1.5L/min；第二層外延層：不通入HCl，通入摻雜，生長一層厚度和電阻率符合200mm肖特基管要求的外延層。本發(fā)明外延工藝的有效組合，即保證了擴(kuò)展電阻的匹配，又保證了外延片的生產(chǎn)效率。