基于eFlash存儲(chǔ)芯片的數(shù)據(jù)擦寫方法及系統(tǒng)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201911375135.5 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN111143238B 公開（公告）日 2022-03-15
申請(qǐng)公布號(hào) CN111143238B 申請(qǐng)公布日 2022-03-15
分類號(hào) G06F12/02（2006.01）I;G06F11/14（2006.01）I 分類 計(jì)算；推算；計(jì)數(shù);
發(fā)明人 馬佳偉;孫楚昆;余彥飛;付琴琴 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 無錫融卡科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京成創(chuàng)同維知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 李鎮(zhèn)江;馮麗欣
地址 214028 江蘇省無錫市新吳區(qū)弘毅路10號(hào)金乾座501室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種基于eFlash存儲(chǔ)芯片的數(shù)據(jù)擦寫方法及系統(tǒng)，方法包括：獲取應(yīng)用數(shù)據(jù)；調(diào)用寫接口，判斷目標(biāo)擦寫單元是否需要啟動(dòng)均衡交換；當(dāng)不需要啟動(dòng)均衡交換時(shí)，將應(yīng)用數(shù)據(jù)直接寫入目標(biāo)擦寫單元；當(dāng)需要啟動(dòng)均衡交換時(shí)，獲取可用的交換單元，將應(yīng)用數(shù)據(jù)寫入可用的交換單元，其中目標(biāo)擦寫單元是否需要啟動(dòng)均衡交換的判斷方法包括：計(jì)算獲得基準(zhǔn)擦寫均衡線高度；計(jì)算獲得目標(biāo)擦寫單元的擦寫均衡高度；若擦寫均衡高度大于或等于基準(zhǔn)擦寫均衡線高度，則啟動(dòng)均衡交換。本發(fā)明在保證了eFlash存儲(chǔ)芯片具有較高的擦寫次數(shù)的前提下，有效地降低了因引入均衡擦寫算法而額外產(chǎn)生的擦寫性能開銷，提高了尋找均衡交換目標(biāo)對(duì)象的效率。