一種控制硅基微結(jié)構(gòu)內(nèi)部空腔形成位置的研究方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201610390923.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN106006542B | 公開（公告）日 | 2018-10-12 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN106006542B | 申請(qǐng)公布日 | 2018-10-12 |
| 分類號(hào) | B81B7/02;B81C1/00 | 分類 | 微觀結(jié)構(gòu)技術(shù)〔7〕; |
| 發(fā)明人 | 張俐楠;鄭偉;陳超;吳立群;王洪成 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 嘉興華吉環(huán)?？萍加邢薰?/a> |
| 代理機(jī)構(gòu) | 杭州千克知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 杭州電子科技大學(xué);杭州追獵科技有限公司;嘉興華吉環(huán)保科技有限公司 |
| 地址 | 310018 浙江省杭州市下沙高教園區(qū)2號(hào)大街 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了控制硅基微結(jié)構(gòu)內(nèi)部空腔形成位置的研究方法，按如下步驟進(jìn)行：(1)進(jìn)行溫?zé)崽幚砉杌⒔Y(jié)構(gòu)成形研究的材料在一定溫度環(huán)境中處理一段時(shí)間，使其變軟；(2)利用離子刻蝕機(jī)制造出U型圓柱孔狀的樣本；(3)將上述過程得到的U型圓柱孔在一定溫度下環(huán)境中進(jìn)行熱處理一段時(shí)間，得到硅基微結(jié)構(gòu)空腔位置。本發(fā)明溫?zé)崽幚硐鹿杌⒔Y(jié)構(gòu)空腔位置變化規(guī)律研究方法，主要操作：在一定的溫度環(huán)境下，對(duì)不同初始結(jié)構(gòu)參數(shù)的硅材料進(jìn)行熱處理15min，探究硅基微結(jié)構(gòu)空腔位置變化規(guī)律，從而達(dá)到控制硅基微結(jié)構(gòu)空腔位置。 |
