一種基于外加電場(chǎng)制備硅納米結(jié)構(gòu)材料的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201510173473.6 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN104818532B 公開（公告）日 2018-07-27
申請(qǐng)公布號(hào) CN104818532B 申請(qǐng)公布日 2018-07-27
分類號(hào) C25F3/12;C30B33/10;C25F3/14;B82Y40/00 分類 電解或電泳工藝；其所用設(shè)備〔4〕;
發(fā)明人 巢炎;焦曉東;鄭武永;姚安琦;吳立群 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 嘉興華吉環(huán)?？萍加邢薰?/a>
代理機(jī)構(gòu) 杭州千克知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 杭州電子科技大學(xué);杭州追獵科技有限公司;嘉興華吉環(huán)?？萍加邢薰?/td>
地址 310018 浙江省杭州市下沙高教園區(qū)2號(hào)大街
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種基于外加電場(chǎng)制備硅納米結(jié)構(gòu)材料的方法，其按如下步驟：(1)、將潔凈的硅片放入氫氟酸與硝酸銀的混合溶液中，使硅片表面沉積一層銀薄膜；(2)、將步驟(1)的硅片鍍膜后立刻放入腐蝕液內(nèi)，腐蝕液盛于容器中，容器兩側(cè)固定一對(duì)惰性電極，惰性電極浸入腐蝕液中；(3)、步驟(2)完成后，立刻打開惰性電極電源，腐蝕一段時(shí)間得到硅納米結(jié)構(gòu)材料。本發(fā)明方法只需要改變電場(chǎng)大小這一單一變量即可實(shí)現(xiàn)控制催化劑顆粒腐蝕路徑。該方法簡(jiǎn)單易行，利于規(guī)?；a(chǎn)，而且提高了硅納米結(jié)構(gòu)材料在太陽能電池、鋰離子電池、熱電器件以及精密傳感器等方面的應(yīng)用性能。