一種發(fā)光二極管

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202021895990.7 申請日 -
公開（公告）號 CN213636024U 公開（公告）日 2021-07-06
申請公布號 CN213636024U 申請公布日 2021-07-06
分類號 H01L33/38;H01L33/14 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 桂亮亮;楊健;蔡家豪;汪琴;汪玉;王珊;張家豪 申請（專利權(quán)）人 安徽三安光電有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 241000 安徽省蕪湖市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)東梁路8號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種發(fā)光二極管，至少包括襯底，以及依次層疊于襯底之上的N型半導(dǎo)體層、發(fā)光層、P型半導(dǎo)體層、電流阻擋層、透明導(dǎo)電層、N電極和P電極，所述N電極與N型半導(dǎo)體層連接，P型半導(dǎo)體層與P電極連接，其特征在于：所述電流阻擋層具有露出P型半導(dǎo)體層的第一開口，至少部分露出的P型半導(dǎo)體層具有高阻區(qū)。本實(shí)用新型有效降低由于P電極端ESD爆點(diǎn)導(dǎo)致芯粒失效。