一種多量子阱結(jié)構(gòu)及發(fā)光二極管

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202022230865.0 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN213636023U 公開（公告）日 2021-07-06
申請(qǐng)公布號(hào) CN213636023U 申請(qǐng)公布日 2021-07-06
分類號(hào) H01L33/06;H01L33/32 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李家安;李政鴻;林兓兓;張家豪 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 安徽三安光電有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 241000 安徽省蕪湖市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)東梁路8號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種多量子阱結(jié)構(gòu)及發(fā)光二極管，其中多量子阱結(jié)構(gòu)包括第一量子阱層、第二量子阱層和第三量子阱層，所述第三量子阱層由第三阱層和第三壘層交替層疊而成，其特征在于：所述第三壘層包括依次層疊的第一GaN子層、第一InGaN子層、第二InGaN子層、第三InGaN子層、第二GaN子層。本實(shí)用新型可以減少電子溢流及空穴穿隧效應(yīng)，進(jìn)而降低發(fā)光區(qū)非輻射復(fù)合效率并改善efficiencydroop效應(yīng)。