發(fā)光二極管及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010228719.6 申請日 -
公開（公告）號 CN111403565A 公開（公告）日 2020-07-10
申請公布號 CN111403565A 申請公布日 2020-07-10
分類號 H01L33/06(2010.01)I 分類 -
發(fā)明人 藍(lán)永凌;李政鴻;林兓兓;張家豪 申請（專利權(quán)）人 安徽三安光電有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 241000安徽省蕪湖市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)東梁路8號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及發(fā)光二極管，包括依次層疊：襯底；第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、應(yīng)力釋放層、有源層、第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、第一電極和第二電極；其特征在于：所述第一阱層包括含In的材料層，第二阱層包括含In的材料層，所述第一壘層包括含Al或者不含Al的材料層，所述第二壘層包括含Al的材料層，所述第二壘層為多層材料層，所述多層材料層均為包括含Al的材料層。本發(fā)明可以提升有源層的生長質(zhì)量，提高發(fā)光效率。??