一種晶圓級光學(xué)元件及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810597451.6 申請日 -
公開（公告）號 CN108873119B 公開（公告）日 2022-05-10
申請公布號 CN108873119B 申請公布日 2022-05-10
分類號 G02B3/00（2006.01）I;G02B5/00（2006.01）I 分類 光學(xué);
發(fā)明人 李凡月;雷玫;肖艷芬 申請（專利權(quán)）人 華天慧創(chuàng)科技（西安）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 西安通大專利代理有限責(zé)任公司 代理人 -
地址 710018陜西省西安市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)鳳城五路123號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種晶圓級光學(xué)元件，包括至少一個(gè)光學(xué)元件模塊，所述光學(xué)元件模塊包括基板和在基板上形成的若干個(gè)光學(xué)元件，各光學(xué)元件具有透光區(qū)和非透光區(qū)，非透光區(qū)包括第一阻光層和第二阻光層，第一阻光層位于基板和光學(xué)元件之間，第二阻光層位于不接觸基板的光學(xué)元件表面，第二阻光層在基板的豎直投影與第一阻光層相接合或至少部分重疊。利用光刻技術(shù)設(shè)置尺寸精度高的第一阻光層，避免了現(xiàn)有技術(shù)中阻光層大面積覆蓋基板，克服了阻光層與助黏劑大面積接觸而導(dǎo)致的結(jié)合力差的缺點(diǎn)，提高了晶圓級光學(xué)元件的可靠性；同時(shí)，由于第二阻光層的制備方法對尺寸的精度要求低，使得整個(gè)光學(xué)元件對非透光區(qū)尺寸精度要求容差變大。