原子層沉積裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202020673168.X 申請日 -
公開（公告）號 CN212335292U 公開（公告）日 2021-01-12
申請公布號 CN212335292U 申請公布日 2021-01-12
分類號 C23C16/455(2006.01)I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 李哲峰;張光海 申請（專利權(quán)）人 深圳市原速光電科技有限公司
代理機構(gòu) 深圳市世紀(jì)恒程知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 代理人 魏蘭
地址 518000廣東省深圳市寶安區(qū)新安街道群輝路1號優(yōu)創(chuàng)空間一號樓511-513
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開一種原子層沉積裝置，其中，所述原子層沉積裝置包括氣體分布組件和擴散槽，所述氣體分布組件包括一級分流器和多個二級分流器，所述一級分流器具有第一進(jìn)氣孔和多個第一出氣孔，每個所述二級分流器均具有第二進(jìn)氣孔和多個第二出氣孔；所述一級分流器通過多個所述第一出氣孔與多個所述二級分流器的第二進(jìn)氣孔一一對應(yīng)連通；所述擴散槽與所述第二出氣孔連通。本實用新型技術(shù)方案利用一級分流器和二級分流器連通，實現(xiàn)供氣的同時簡化原子層沉積裝置結(jié)構(gòu)。??