原子層沉積方法、裝置及計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010348348.5 申請日 -
公開（公告）號 CN111501017B 公開（公告）日 2022-02-01
申請公布號 CN111501017B 申請公布日 2022-02-01
分類號 C23C16/455（2006.01）I;C23C16/54（2006.01）I;C23C16/52（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 李哲峰;烏磊;梁立元;聆領(lǐng)安辛 申請（專利權(quán)）人 深圳市原速光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市世紀(jì)恒程知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 代理人 許峰
地址 518000廣東省深圳市寶安區(qū)新安街道群輝路1號優(yōu)創(chuàng)空間一號樓511-513
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種原子層沉積方法，原子層沉積裝置包括沉積設(shè)備和卷料的輸送裝置，所述卷料的輸送裝置包括相鄰設(shè)置的主輥筒和第一從輥筒，所述原子層沉積方法包括以下步驟：啟動所述沉積設(shè)備開始運(yùn)行；啟動所述卷料輸送裝置工作，且在所述主輥筒轉(zhuǎn)動時(shí)，獲取第一從輥筒對應(yīng)的卷料參數(shù)，其中，所述卷料參數(shù)包括卷料張力和/或卷料壓力；在所述卷料參數(shù)超出預(yù)設(shè)參數(shù)范圍內(nèi)時(shí)，調(diào)節(jié)所述第一從輥筒對應(yīng)的電機(jī)的轉(zhuǎn)速。本發(fā)明還公開了一種原子層沉積裝置及計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì)，通過主輥筒轉(zhuǎn)動時(shí)獲取第一從輥筒對應(yīng)的卷料參數(shù)，根據(jù)卷料參數(shù)的大小調(diào)節(jié)第一從輥筒對應(yīng)的電機(jī)的轉(zhuǎn)速，使得電機(jī)的轉(zhuǎn)速更加合理，卷料表面的原子層沉積更加均勻。