線性串聯(lián)的原子層沉積系統(tǒng)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010348349.X 申請日 -
公開（公告）號 CN113637955A 公開（公告）日 2021-11-12
申請公布號 CN113637955A 申請公布日 2021-11-12
分類號 C23C16/455（2006.01）I;C23C16/54（2006.01）I;C23C16/52（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 李哲峰;烏磊;聆領(lǐng)安辛 申請（專利權(quán)）人 深圳市原速光電科技有限公司
代理機構(gòu) 深圳市世紀恒程知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 代理人 王徑武
地址 518000廣東省深圳市寶安區(qū)新安街道群輝路1號優(yōu)創(chuàng)空間一號樓511-513
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種線性串聯(lián)的原子層沉積系統(tǒng)，其中，所述線性串聯(lián)的原子層沉積系統(tǒng)包括真空放卷裝置、真空收卷裝置、至少一個真空沉積裝置及至少一個真空卷料輔助裝置，真空放卷裝置套設(shè)有卷料，用于將卷料拉出；真空收卷裝置與真空放卷裝置間隔設(shè)置，真空收卷裝置用于將拉出后的卷料回收；至少一個真空沉積裝置設(shè)于真空放卷裝置和真空收卷裝置之間，并依次連接；真空沉積裝置用于對卷料沉積處理；真空卷料輔助裝置設(shè)于相鄰兩個真空沉積裝置之間、和/或真空沉積裝置與真空放卷裝置之間、和/或真空沉積裝置與真空收卷裝置之間。本發(fā)明技術(shù)方案調(diào)整卷料在傳送過程中的位置，以改善卷料表面的原子沉積效果。