一種多氣源等離子增強CVD系統(tǒng)
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202010472004.5 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN111778493A | 公開(公告)日 | 2020-10-16 |
申請公布號 | CN111778493A | 申請公布日 | 2020-10-16 |
分類號 | C23C16/54(2006.01)I | 分類 | 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面化學(xué)處理;金屬材料的擴散處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆;金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
發(fā)明人 | 孔令杰;李曉麗;杜希文 | 申請(專利權(quán))人 | 安徽貝意克智能科技有限公司 |
代理機構(gòu) | 合肥正則元起專利代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 安徽貝意克智能科技有限公司 |
地址 | 230000安徽省合肥市肥西縣桃花工業(yè)園拓展區(qū)創(chuàng)新大道與繁華大道交叉口工投立恒廣場二期A12棟第9層 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種多氣源等離子增強CVD系統(tǒng),包括爐管、三溫區(qū)加熱爐膛、射頻線圈、第一進(jìn)氣口、第一卷軸、進(jìn)料倉、傳動電機、第二進(jìn)氣口、出氣口、蝶閥、第二卷軸、出料倉、分子泵、機械泵、風(fēng)扇、擋板閥、射頻電源、流量柜體、觸摸屏操控板、復(fù)合真空計和蝶閥控制器;本發(fā)明是采用超大管徑的爐管,在原有基礎(chǔ)上能夠使用更大面積的銅箔,得到更大面積的石墨烯膜,且增加了獨立的低真空和高真空系統(tǒng),并通過高真空快速的使得超大管徑的爐管達(dá)到所需真空度,同時通過擋板閥可在無需停止分子泵的情況下,對超大管徑的爐管進(jìn)行低真空和高真空的自由切換,并精準(zhǔn)控制其中的工作壓力,使得超大管徑的爐管內(nèi)的化學(xué)反應(yīng)能夠保持統(tǒng)一、均勻。?? |
