二次電子發(fā)射系數(shù)的測(cè)量方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010197709.0 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113495081A 公開(kāi)（公告）日 2021-10-12
申請(qǐng)公布號(hào) CN113495081A 申請(qǐng)公布日 2021-10-12
分類號(hào) G01N23/2251（2018.01）I;G01R19/00（2006.01）I 分類 測(cè)量；測(cè)試;
發(fā)明人 張科;姜開(kāi)利;范守善 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 富士康科技集團(tuán)有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 100084北京市海淀區(qū)清華大學(xué)清華-富士康納米科技研究中心401室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種二次電子發(fā)射系數(shù)的測(cè)量方法，包括：掃描電子顯微鏡發(fā)射高能電子束，該高能電子束穿過(guò)第一收集板、第二收集板進(jìn)入到法拉第杯中，第二電流計(jì)測(cè)得進(jìn)入到法拉第杯中的高能電子束形成的電流I注入電流；將第一收集板和第二收集板短接，將待測(cè)樣品放置在第一收集板和第二收集板之間，在待測(cè)樣品與第一收集板之間施加50伏電壓，ISE＝0，第一電流計(jì)測(cè)量待測(cè)樣品和第一收集板之間的電流I1，背景電流IBG1忽略，根據(jù)I1＝IBG1+Iothers+Iothers，求得Iothers；在第一收集板和待測(cè)樣品之間施加一正電壓，采用第一電流計(jì)測(cè)量第一收集板和待測(cè)樣品之間的電流I2，背景電流IBG1忽略，根據(jù)I1＝IBG1+Iothers+Iothers，求ISE，進(jìn)而得到二次電子發(fā)射系數(shù)。