二次電子發(fā)射系數(shù)測量裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010198334.X 申請日 -
公開（公告）號 CN113495082A 公開（公告）日 2021-10-12
申請公布號 CN113495082A 申請公布日 2021-10-12
分類號 G01N23/2251（2018.01）I;G01R19/00（2006.01）I 分類 測量；測試;
發(fā)明人 張科;姜開利;范守善 申請（專利權(quán)）人 富士康科技集團有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 100084北京市海淀區(qū)清華大學(xué)清華-富士康納米科技研究中心401室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種二次電子發(fā)射系數(shù)測量裝置，包括：一掃描電子顯微鏡，具有一電子發(fā)射端以及一腔室，該電子發(fā)射端用于發(fā)射電子束；一第一收集板，具有一第一通孔；一第二收集板，具有一第二通孔；一第一電流計，用于測試從待測樣品打到第一收集板和第二收集板的電子的電流強度；一法拉第杯，具有一電子入口；一第二電流計，用于測量進入到法拉第杯的電子的電流強度；以及一電壓表，用于測量所述第一收集板與待測樣品之間的電壓。該第二收集板與第一收集板平行且間隔設(shè)置于腔室內(nèi)，待測樣品放置在第一收集板和第二收集板之間。該第一通孔、第二通孔以及電子入口貫穿設(shè)置，所述電子束依次穿過第一通孔、第二通孔后進入到所述法拉第杯中。