一種基于MEMS芯片應(yīng)用的傳感器設(shè)備

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202120812032.7 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN215374213U 公開(kāi)（公告）日 2021-12-31
申請(qǐng)公布號(hào) CN215374213U 申請(qǐng)公布日 2021-12-31
分類號(hào) G01J1/04（2006.01）I;G01J1/02（2006.01）I;B81B7/02（2006.01）I 分類 測(cè)量；測(cè)試;
發(fā)明人 敖雪飛 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 河源芯元科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 523000廣東省東莞市望牛墩鎮(zhèn)望牛墩北環(huán)路27號(hào)6號(hào)樓601室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開(kāi)了一種基于MEMS芯片應(yīng)用的傳感器設(shè)備，包括封裝殼體，所述封裝殼體的內(nèi)壁中部插接有抗震環(huán)，且抗震環(huán)的頂端內(nèi)邊四側(cè)設(shè)有支架，所述支架的中部連接有聚光筒，所述封裝殼體的底端內(nèi)壁和抗震環(huán)之間留有空腔，且空腔的內(nèi)壁設(shè)有芯片基座，所述芯片基座的頂部外壁固定連接有MEMS芯片。本實(shí)用新型進(jìn)光端設(shè)有喇叭口結(jié)構(gòu)，擴(kuò)大光照進(jìn)口端，進(jìn)而彌補(bǔ)光照強(qiáng)度傳感進(jìn)光損失，利用內(nèi)壁上對(duì)光的反射聚集，對(duì)進(jìn)光端中的非平行光束進(jìn)行極小損耗反射打至感光端，實(shí)現(xiàn)進(jìn)光端端面上的進(jìn)光均可被檢測(cè)到，實(shí)現(xiàn)光照強(qiáng)度的檢測(cè)更貼近實(shí)際值。