基于復(fù)合介質(zhì)柵的雙器件光敏探測(cè)單元、探測(cè)器及其方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201610592997.3 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN107658321B 公開(kāi)（公告）日 2019-12-27
申請(qǐng)公布號(hào) CN107658321B 申請(qǐng)公布日 2019-12-27
分類號(hào) H01L27/146 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 馬浩文;閆鋒;卜曉峰;沈忱;張麗敏;楊程;毛成 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 南京吉相傳感成像技術(shù)研究院有限公司
代理機(jī)構(gòu) 江蘇法德東恒律師事務(wù)所 代理人 南京威派視半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
地址 211135 江蘇省南京市江寧區(qū)麒麟科技創(chuàng)新園智匯路300號(hào)B單元二樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種基于復(fù)合介質(zhì)柵的雙器件光敏探測(cè)單元、探測(cè)器及其方法。其中，光敏探測(cè)單元包括復(fù)合介質(zhì)柵MOS?C部分和復(fù)合介質(zhì)柵MOSFET部分，這兩部分形成在同一P型半導(dǎo)體襯底的上方，并共用電荷耦合層。多個(gè)上述光敏探測(cè)單元在同一P型半導(dǎo)體襯底上排成陣列形成探測(cè)器，探測(cè)器中相鄰單元像素之間通過(guò)深槽隔離區(qū)以及隔離區(qū)下方的P+型注入?yún)^(qū)來(lái)實(shí)現(xiàn)隔離。探測(cè)時(shí)，復(fù)合介質(zhì)柵MOS?C部分的P型半導(dǎo)體襯底感光，然后將光電子耦合到電荷耦合層，光電子信號(hào)通過(guò)復(fù)合介質(zhì)柵MOSFET部分進(jìn)行讀取。本發(fā)明可以很好地實(shí)現(xiàn)光信號(hào)的探測(cè)，具有較好的弱光響應(yīng)和線性度，同時(shí)沒(méi)有明顯的飽和現(xiàn)象，有比較大的動(dòng)態(tài)范圍和比較高的量子效率。