分布反饋式激光器的不規(guī)則反射鏡結(jié)構(gòu)
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011457059.5 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN112688163A | 公開（公告）日 | 2021-04-20 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112688163A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-04-20 |
| 分類號(hào) | H01S5/22(2006.01)I;H01S5/042(2006.01)I;H01S5/34(2006.01)I;H01S5/06(2006.01)I;H01S5/10(2021.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 宋學(xué)穎;明辰;白國人;王磊;林海鵬;陳帥;陳景春;曲迪 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 華慧科銳（天津）科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 天津市鼎和專利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人 | 蒙建軍 |
| 地址 | 300467天津市濱海新區(qū)中新天津生態(tài)城中天大道1620號(hào)生態(tài)科技園啟發(fā)大廈11層101室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種分布反饋式激光器的不規(guī)則反射鏡結(jié)構(gòu)，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，包括：第一種摻雜的半導(dǎo)體層、反射鏡層、第二種摻雜的半導(dǎo)體層、多量子阱有源層和電極層；第一種摻雜的半導(dǎo)體層與多量子阱有源層之間設(shè)置有不規(guī)則反射鏡結(jié)構(gòu)。本發(fā)明通過反射鏡對(duì)結(jié)區(qū)內(nèi)光場分布的調(diào)制作用來增強(qiáng)光場密度，控制激光器的光電輸出；通過在有源層下方加上一層金屬反射鏡，有源區(qū)發(fā)出的光子可以再度被反射回量子阱，一定程度上增加了反射回量子阱的光子數(shù)量，從而提升進(jìn)入諧振腔內(nèi)的光子數(shù)量，增加復(fù)合輻射的概率，達(dá)到提高出光效率和出光強(qiáng)度的效果。而且V型凹槽可以增加反射面積，反射出的光子密度較普通的反射鏡高；進(jìn)一步提高出光效率和出光強(qiáng)度。?? |
