等離子體增強(qiáng)電化學(xué)表面陶瓷化的能量控制方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN97104035.4 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN1163323A 公開(kāi)（公告）日 1997-10-29
申請(qǐng)公布號(hào) CN1163323A 申請(qǐng)公布日 1997-10-29
分類(lèi)號(hào) C25D11/02 分類(lèi) 電解或電泳工藝；其所用設(shè)備〔4〕;
發(fā)明人 李欣;董作人;左洪波;孔慶山;米東輝 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 哈爾濱三利亞股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京申翔知識(shí)產(chǎn)權(quán)服務(wù)公司專(zhuān)利代理部 代理人 哈爾濱環(huán)亞微弧技術(shù)有限公司;哈爾濱三利亞股份有限公司
地址 150036黑龍江省哈爾濱市高新技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)23號(hào)樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種適用于大規(guī)模工業(yè)生產(chǎn)的等離子體增強(qiáng)電化學(xué)表面陶瓷化技術(shù)的控制方法。該方法在已有的電解質(zhì)溶液和相應(yīng)的工藝條件下通過(guò)電能使作為陽(yáng)極的金屬基體表面等離子弧光放電，進(jìn)行電化學(xué)陽(yáng)極氧化，形成具有陶瓷結(jié)構(gòu)的膜層時(shí)，采用三相橋式斷續(xù)周波全控整流的方法，控制可控硅的導(dǎo)通角和單位時(shí)間內(nèi)導(dǎo)通的周波數(shù)，作用于工件表面微等離子體的能量(即燒結(jié)能量)得到合理控制，避免了在燒結(jié)過(guò)程中出現(xiàn)的“欠燒”、“過(guò)燒”及“燒蝕”現(xiàn)象，同時(shí)又減少了對(duì)網(wǎng)絡(luò)的諧波污染。