X射線平板探測器面板結(jié)構(gòu)及其制備方法、平板探測器
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202110183090.2 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN113053935A | 公開(公告)日 | 2021-06-29 |
申請公布號 | CN113053935A | 申請公布日 | 2021-06-29 |
分類號 | H01L27/146 | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 李桂鋒;金利波 | 申請(專利權(quán))人 | 上海奕瑞光電子科技股份有限公司 |
代理機構(gòu) | 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 余明偉 |
地址 | 201201 上海市浦東新區(qū)瑞慶路590號9幢2層202室 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提供一種X射線平板探測器面板結(jié)構(gòu)及其制備方法,及平板探測器。制備方法包括提供基板,依次形成柵電極、柵絕緣層、有源層、刻蝕阻擋層、源漏電極材料層及第一絕緣層,對第一絕緣層進行圖形化刻蝕以形成第一開孔以暴露出源漏電極材料層;于第一開孔內(nèi)形成光電二極管后對第一絕緣層及未被光電二極管覆蓋的源漏電極材料層進行圖形化刻蝕以形成源極和漏極,之后形成第二絕緣層和公共電極,公共電極與光電二極管電連接且延伸到氧化物薄膜晶體管的上方。本發(fā)明經(jīng)優(yōu)化的流程設(shè)計,利用源漏電極材料層增強光電二極管與氧化物薄膜晶體管有源層的物理隔離,減少光電二極管和后續(xù)絕緣層等制程對氧化物薄膜晶體管電性的影響,有助于提高器件性能。 |
