一種雙面氧化鋁鈍化背面局部接觸高效率晶體硅太陽能電池的制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710794936.X 申請日 -
公開（公告）號 CN109473504A 公開（公告）日 2019-03-15
申請公布號 CN109473504A 申請公布日 2019-03-15
分類號 H01L31/18（2006.01）I; H01L31/068（2012.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李良; 李化陽; 張良; 王霞; 姚玉; 王俊 申請（專利權(quán)）人 鎮(zhèn)江大全太陽能有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 212200江蘇省鎮(zhèn)江市揚中市新壩鎮(zhèn)大全路66號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種雙面氧化鋁鈍化背面局部接觸高效率晶體硅太陽能電池的制作方法，包括如下步驟：（1）硅片去損傷&制絨；（2）磷擴散；（3）磷硅玻璃去除及背面拋光；（4）氧化鋁制備；（5）氮化硅沉積；（6）印刷背電極；（7）背電場印刷；（8）正面印刷；（9）燒結(jié)、測試。本發(fā)明借鑒PERC電池結(jié)構(gòu)，通過絲網(wǎng)印刷方式制備氧化鋁鈍化膜實現(xiàn)正反面鈍化，整個制作過程不使用TMA（三甲基鋁），工藝過程安全可靠、環(huán)境友好，而且通過兩面氧化鋁鈍化，大大降低硅片正反面的表面復(fù)合，最終實現(xiàn)電池片轉(zhuǎn)換效率的提升。