一種等離子體退火設備
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202022876090.4 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN213483721U | 公開(公告)日 | 2021-06-18 |
申請公布號 | CN213483721U | 申請公布日 | 2021-06-18 |
分類號 | H01L21/67(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I;C30B33/02(2006.01)I;C30B33/04(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 廖奇泊 | 申請(專利權)人 | 淄博綠能芯創(chuàng)電子科技有限公司 |
代理機構 | 上海段和段律師事務所 | 代理人 | 李佳俊;郭國中 |
地址 | 255025山東省淄博市高新區(qū)中潤大道158號MEMS產業(yè)園區(qū)8#樓4樓416 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本實用新型提供了一種等離子體退火設備,包括真空腔室和退火腔室,所述真空腔室位于退火腔室上方,且所述真空腔室與退火腔室之間連通有連通口,所述真空腔室連通有進氣管,所述真空腔室內設置有等離子源,所述等離子源位于進氣管在真空腔室側壁上的管口的下側,且所述真空腔室內還設置有磁場過濾組件,所述退火腔室內設置有用于放置硅片的基臺,所述基臺上設置有下部電極,且所述基臺位于連接口的正下方,且所述退火腔室上還設置有溫度調節(jié)裝置以及壓力調節(jié)組件。實現(xiàn)在低溫條件下對放置在基臺上的硅片柵氧化層進行退火處理,減少了柵氧化層中的缺陷,進而有助于提高退火效果。 |
