太鼓環(huán)減薄方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202210302216.8 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN114695106A | 公開(公告)日 | 2022-07-01 |
申請公布號 | CN114695106A | 申請公布日 | 2022-07-01 |
分類號 | H01L21/308(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 黃威 | 申請(專利權(quán))人 | 淄博綠能芯創(chuàng)電子科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 上海段和段律師事務(wù)所 | 代理人 | - |
地址 | 255025山東省淄博市高新區(qū)中潤大道158號MEMS產(chǎn)業(yè)園區(qū)8#樓4樓416 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提供了一種太鼓環(huán)減薄方法,步驟包括:在晶圓上涂上一層光刻膠或硬掩膜;區(qū)分出晶圓主區(qū)域和晶圓無效區(qū)域;刻蝕晶圓主區(qū)域,保留晶圓無效區(qū)域,將兩個區(qū)域分為不通厚度區(qū)域;在晶圓主區(qū)域鍍上氧化層,刻蝕晶圓主區(qū)域;檢查刻蝕后的晶圓主區(qū)域厚度,如果厚度不滿足超薄片標(biāo)準(zhǔn),重復(fù)步驟四、步驟五直到厚度超薄片標(biāo)準(zhǔn)。本發(fā)明可以增加晶圓減薄后的支撐效果,達(dá)到更高的減薄效果,減小了晶圓損傷層以及晶圓的應(yīng)力對后續(xù)工藝的影響。 |
