超輻射發(fā)光二極管或激光器外延結(jié)構(gòu)及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201510953170.6 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN106898948B 公開(kāi)（公告）日 2019-05-31
申請(qǐng)公布號(hào) CN106898948B 申請(qǐng)公布日 2019-05-31
分類(lèi)號(hào) H01S5/343（2006.01）I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 高雪; 周坤; 孫逸; 馮美鑫; 劉建平; 孫錢(qián); 張書(shū)明; 李德堯; 張立群; 楊輝 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 杭州增益光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京利豐知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 王鋒
地址 310000 浙江省杭州市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)白楊街道21號(hào)大街600號(hào)2幢110室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種超輻射發(fā)光二極管或激光器外延結(jié)構(gòu)及其制備方法。所述外延結(jié)構(gòu)包括從下到上依次設(shè)置的Si襯底、AlN緩沖層、AlGaN緩沖層、GaN波導(dǎo)層、n型AlGaN層、n型或i型InGaN下波導(dǎo)層、有源區(qū)、p型或i型InGaN上波導(dǎo)層、p型AlGaN電子阻擋層、p型AlGaN上光學(xué)限制層、p型或n型GaN或InGaN接觸層。優(yōu)選的，所述有源區(qū)采用i型InGaN/GaN多量子阱或量子點(diǎn)有源區(qū)。所述GaN波導(dǎo)層的厚度與所述超輻射發(fā)光二極管或激光器的脊形條寬相當(dāng)。藉由本發(fā)明的所述外延結(jié)構(gòu)，注入的載流子可以被有效的限制在很薄的有源區(qū)中，其復(fù)合產(chǎn)生的光強(qiáng)能夠從有源區(qū)擴(kuò)展到第一波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中，而因其中的GaN波導(dǎo)層較厚，該波導(dǎo)結(jié)構(gòu)可以顯著提高超輻射發(fā)光二極管、激光器的光束質(zhì)量。