具有復(fù)合漸變量子壘結(jié)構(gòu)的氮化鎵基半導(dǎo)體器件及其制法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201510067685.6 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN105990477B | 公開(kāi)（公告）日 | 2018-08-10 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN105990477B | 申請(qǐng)公布日 | 2018-08-10 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L33/04;H01L31/0352;H01L31/18;H01L33/00 | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 張峰;池田昌夫;周坤;劉建平;張書(shū)明;李德堯;張立群;楊輝 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 杭州增益光電科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 南京利豐知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 王鋒 |
| 地址 | 215123 江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū)獨(dú)墅湖高教區(qū)若水路398號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種具有復(fù)合漸變量子壘結(jié)構(gòu)的氮化鎵基半導(dǎo)體器件及其制法。該器件包含多量子阱結(jié)構(gòu)，所述多量子阱結(jié)構(gòu)包含交替生長(zhǎng)的復(fù)數(shù)銦鎵氮層，并且在所述多量子阱結(jié)構(gòu)中不同量子壘層中的平均銦含量由P型側(cè)向N型側(cè)逐漸降低，而至少一量子壘層中的銦含量由P型側(cè)向N型側(cè)逐漸升高。本發(fā)明器件因采用復(fù)合漸變量子壘結(jié)構(gòu)，可以降低量子阱區(qū)的極化電場(chǎng)，增加電子和空穴的復(fù)合效率，以及改善空穴輸運(yùn)，減小阱間空穴分布不均勻性，并且減小電子泄露，進(jìn)而可明顯提高發(fā)光二極管等器件的發(fā)光效率，并顯著抑制其效率下降等問(wèn)題，同時(shí)，其制備工藝簡(jiǎn)單可控，易于規(guī)?；瘜?shí)施。 |
