InGaN/GaN量子阱激光器及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610945995.8 申請日 -
公開（公告）號 CN106785919B 公開（公告）日 2020-05-26
申請公布號 CN106785919B 申請公布日 2020-05-26
分類號 H01S5/343 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 田愛琴;劉建平;張書明;李德堯;張立群;楊輝 申請（專利權(quán)）人 杭州增益光電科技有限公司
代理機構(gòu) 深圳市銘粵知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 孫偉峰;武岑飛
地址 310026 浙江省杭州市經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)白楊街道21號大街600號2幢110室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種InGaN/GaN量子阱激光器，其包括：襯底；依序在襯底上的低溫GaN緩沖層、高溫n型GaN層和n型AlGaN光限制層；在n型AlGaN光限制層上的n型InGaN下波導(dǎo)層；在n型InGaN下波導(dǎo)層上的InGaN/GaN量子阱有源區(qū)；在InGaN/GaN量子阱有源區(qū)上的u型InGaN上波導(dǎo)層；在u型InGaN上波導(dǎo)層上的p型AlGaN電子阻擋層；在p型AlGaN電子阻擋層上的p型AlGaN/GaN光限制層；在p型AlGaN/GaN光限制層上的p型GaN歐姆接觸層。本發(fā)明還公開一種該InGaN/GaN量子阱激光器的制作方法。本發(fā)明采用1～2個單原子層厚度的InxGa1?xN插入蓋層使InGaN量子阱表面二維島狀的形貌變得平整，從而In組分分布更加均勻，且使之后形成的GaN蓋層有更好的質(zhì)量，在升溫過程中保證InGaN量子阱不會發(fā)生分解，并且在之后的高溫生長p型AlGaN/GaN光限制層的過程中不會發(fā)生熱退化。