一種自帶肖特基二極管結(jié)構(gòu)的溝槽MOS器件及制造方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110556172.7 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN113299644A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-08-24 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113299644A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-08-24 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L27/07（2006.01）I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 夏華忠;諸建周;李健;黃傳偉 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 江蘇東海半導(dǎo)體股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 蘇州謹(jǐn)和知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 葉棟 |
| 地址 | 214000江蘇省無(wú)錫市新吳區(qū)碩放街道中通東路88號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明是自帶肖特基二極管結(jié)構(gòu)的溝槽MOS器件及制造方法，結(jié)構(gòu)是有P?wellMOSFET元胞和無(wú)P?well肖特基元胞交錯(cuò)均勻分布。方法：1）準(zhǔn)備外延片；2）外延片表面制作溝槽；3）溝槽內(nèi)生成柵氧；4）溝槽MOSFET元胞區(qū)域P?well光刻注入推進(jìn)；5）N+source光刻注入推進(jìn)；6）ILD淀積；7）歐姆接觸孔光刻刻蝕；8）歐姆接觸金屬淀積光刻刻蝕；9）溝槽肖特基元胞區(qū)域肖特基接觸孔光刻刻蝕；10）形成肖特基勢(shì)壘；11）肖特基接觸金屬淀積光刻刻蝕；12）鈍化層淀積光刻刻蝕；13）背金減薄。本發(fā)明優(yōu)點(diǎn)：面積利用最大化，解決了歐姆接觸和肖特基接觸的矛盾；大幅縮短反向恢復(fù)時(shí)間，提高開(kāi)關(guān)頻率。 |
