一種溝槽型肖特基器件及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110556185.4 申請日 -
公開（公告）號 CN113299767A 公開（公告）日 2021-08-24
申請公布號 CN113299767A 申請公布日 2021-08-24
分類號 H01L29/872（2006.01）I;H01L21/329（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 夏華忠;諸建周;李健;黃傳偉 申請（專利權）人 江蘇東海半導體股份有限公司
代理機構(gòu) 蘇州謹和知識產(chǎn)權代理事務所（特殊普通合伙） 代理人 葉棟
地址 214000江蘇省無錫市新吳區(qū)碩放街道中通東路88號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明是溝槽型肖特基器件及其制造方法，結(jié)構(gòu)是元胞結(jié)構(gòu)為六角形，溝槽頂部形貌傾斜，勢壘層金屬界面垂直方向上低于接觸金屬層界面。方法：1）外延片上生長氧化層；2）溝槽光刻刻蝕；3）溝槽內(nèi)生成柵氧；4）溝槽多晶硅填充；5）多晶硅回刻；6）濕法去除氧化層；7）高溫熱氧化；8）SiN淀積、ILD二氧化硅層淀積；9）肖特基接觸孔光刻，濕法二氧化硅去除；10）SiN/熱氧化層干法刻蝕；11）肖特基勢壘金屬濺射；12）勢壘金屬合金/勢壘金屬去除；13）HPD淀積；14）接觸金屬濺射；15）接觸金屬光刻刻蝕；16）背金減薄。優(yōu)點：元胞面積利用最大化，與工藝流程匹配度高；勢壘金屬更好在溝槽內(nèi)部積累；避免漏電通道。