一種降低導(dǎo)通電阻的Trench MOSFET結(jié)構(gòu)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110011382.8 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113013247A 公開(kāi)（公告）日 2021-06-22
申請(qǐng)公布號(hào) CN113013247A 申請(qǐng)公布日 2021-06-22
分類號(hào) H01L29/78;H01L29/423 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 胡蓋;黃傳偉;夏華秋;諸建周;呂文生 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江蘇東海半導(dǎo)體股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州謹(jǐn)和知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 葉棟
地址 214142 江蘇省無(wú)錫市新吳區(qū)碩放街道中通東路88號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明是降低導(dǎo)通電阻的Trench MOSFET結(jié)構(gòu)，其結(jié)構(gòu)包括襯底層和位于襯底層表面的源區(qū)金屬層、漏區(qū)金屬層、柵區(qū)金屬層；襯底層上方與源區(qū)金屬層、漏區(qū)金屬層、柵區(qū)金屬層之間從下至上依次設(shè)有水平N+漏層、N?漂移區(qū)、P型阱區(qū)層和N+型源區(qū)層；還包括雙溝槽結(jié)構(gòu)：槽型多晶硅柵區(qū)和槽型場(chǎng)氧；槽型場(chǎng)氧右側(cè)設(shè)與水平N+漏層連接的縱向N+漏區(qū)；源區(qū)金屬層、漏區(qū)金屬層、柵區(qū)金屬層分別通過(guò)接觸孔內(nèi)金屬分別與N+型源區(qū)層、縱向N+漏區(qū)、槽型多晶硅柵區(qū)連接。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)：結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)合理，利用表面漏區(qū)縮短了載流子在高阻區(qū)的漂移路徑，能有效的減少其導(dǎo)通電阻。