一種MOSFET芯片版圖結構

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010447250.5 申請日 -
公開（公告）號 CN111668311A 公開（公告）日 2021-08-24
申請公布號 CN111668311A 申請公布日 2021-08-24
分類號 H01L29/78;H01L29/417;H01L21/336 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 夏華忠;諸建周;談益民;黃傳偉;李健;其他發(fā)明人請求不公開姓名 申請（專利權）人 江蘇東海半導體股份有限公司
代理機構 蘇州謹和知識產(chǎn)權代理事務所（特殊普通合伙） 代理人 葉棟
地址 214142 江蘇省無錫市新吳區(qū)碩放街道中通東路88號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明是一種MOSFET芯片版圖結構，應用于一種MOSFET芯片，包括位于底部的第一層源極金屬和與第一層源極金屬頂面接觸的第二層源極金屬，第一層源極金屬為四周包圍有柵極Bus條的源極區(qū)，柵極Bus條上開有柵極刻蝕窗口，第二層源極金屬覆蓋第一層源極金屬，第二層源極金屬上設柵極鍵合區(qū)通過柵極刻蝕窗口與柵極Bus條接觸。本發(fā)明的優(yōu)點：正面金屬采用雙層布線，即第一層金屬除柵極Bus條外，全部為源極金屬，因此可將原柵極鍵合區(qū)域全部拓展為源極區(qū)域，增加了芯片的元胞區(qū)域，從而有效降低了芯片的導通電阻，提高了芯片性能；或在獲得相同導通電阻的情況下，可減少芯片面積，最終降低芯片成本。