倒扣封裝背照式光電探測(cè)器芯片制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN02133928.7 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN1492517A 公開(kāi)（公告）日 2004-04-28
申請(qǐng)公布號(hào) CN1492517A 申請(qǐng)公布日 2004-04-28
分類(lèi)號(hào) H01L31/18;H01L27/14 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 朱華海 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 重慶科業(yè)光電有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 400060重慶市南岸區(qū)南坪花園路14號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種倒扣封裝背照式的長(zhǎng)波InGaAs/InP光電探測(cè)器芯片的制作方法，其特征在于：光電探測(cè)器芯片的襯底電極不在芯片外延層的表面，而是通過(guò)光刻工藝，腐蝕掉外延層后與芯片襯底連接，形成低接觸電阻的歐姆接觸。與現(xiàn)有的光電探測(cè)器相比，既減小了器件的結(jié)電容和內(nèi)引線的分布電容，又降低了光電探測(cè)的串聯(lián)電阻，從而提高了光電探測(cè)器的頻率響應(yīng)特性，使之特別適合于高速應(yīng)用。