可用于熱電轉(zhuǎn)換元器件的GaTe薄層材料、應(yīng)用及制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910157331.9 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN109904306B 公開(kāi)（公告）日 2020-07-03
申請(qǐng)公布號(hào) CN109904306B 申請(qǐng)公布日 2020-07-03
分類(lèi)號(hào) H01L35/16;H01L35/34 分類(lèi) -
發(fā)明人 蘆鵬飛;上官赫婧;張凡;張麗;王庶民 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 浙江超晶晟銳光電有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京萬(wàn)思博知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 浙江超晶晟銳光電有限公司
地址 315403 浙江省寧波市余姚市經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)冶山路
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種可用于熱電轉(zhuǎn)換元器件的GaTe薄層材料、應(yīng)用及制備方法，涉及熱電材料應(yīng)用領(lǐng)域。GaTe薄層材料是在GaTe薄層制備過(guò)程中，通過(guò)摻雜一定濃度的電子或空穴，使得GaTe薄層材料在N型和P型摻雜的情況下，熱電優(yōu)值達(dá)到最大值，實(shí)現(xiàn)其向N型或P型半導(dǎo)體的熱電轉(zhuǎn)換。本申請(qǐng)通過(guò)適當(dāng)濃度的電子及空穴的摻雜，可將GaTe調(diào)制成N或P型半導(dǎo)體，同時(shí)N型和P型半導(dǎo)體都可實(shí)現(xiàn)較高的熱電轉(zhuǎn)換效率，具有良好的熱電表現(xiàn)。進(jìn)而使得其應(yīng)用于熱電轉(zhuǎn)換元器件。GaTe薄層材料制備方法可采用布里奇曼技術(shù)、常規(guī)分子束外延、化學(xué)氣相沉積等多種方法進(jìn)行生長(zhǎng)，并通過(guò)機(jī)械剝離的方式獲得其薄層，操作簡(jiǎn)單，易于實(shí)現(xiàn)。