可用于熱電轉(zhuǎn)換元器件的GaTe薄層材料、應用及制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910157331.9 申請日 -
公開（公告）號 CN109904306A 公開（公告）日 2019-06-18
申請公布號 CN109904306A 申請公布日 2019-06-18
分類號 H01L35/16（2006.01）I; H01L35/34（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 蘆鵬飛; 上官赫婧; 張凡; 張麗; 王庶民 申請（專利權(quán)）人 浙江超晶晟銳光電有限公司
代理機構(gòu) 北京萬思博知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 浙江超晶晟銳光電有限公司
地址 315403 浙江省寧波市余姚市經(jīng)濟開發(fā)區(qū)冶山路
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請公開了一種可用于熱電轉(zhuǎn)換元器件的GaTe薄層材料、應用及制備方法，涉及熱電材料應用領域。GaTe薄層材料是在GaTe薄層制備過程中，通過摻雜一定濃度的電子或空穴，使得GaTe薄層材料在N型和P型摻雜的情況下，熱電優(yōu)值達到最大值，實現(xiàn)其向N型或P型半導體的熱電轉(zhuǎn)換。本申請通過適當濃度的電子及空穴的摻雜，可將GaTe調(diào)制成N或P型半導體，同時N型和P型半導體都可實現(xiàn)較高的熱電轉(zhuǎn)換效率，具有良好的熱電表現(xiàn)。進而使得其應用于熱電轉(zhuǎn)換元器件。GaTe薄層材料制備方法可采用布里奇曼技術、常規(guī)分子束外延、化學氣相沉積等多種方法進行生長，并通過機械剝離的方式獲得其薄層，操作簡單，易于實現(xiàn)。