一種原子層沉積前驅(qū)體用量的監(jiān)測系統(tǒng)及其方法與應(yīng)用

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110941492.4 申請日 -
公開（公告）號 CN113862641A 公開（公告）日 2021-12-31
申請公布號 CN113862641A 申請公布日 2021-12-31
分類號 C23C16/455（2006.01）I;C23C16/52（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 解明;李煜宇;郭萍梅;萬翠翠;錢凡;楊程晟 申請（專利權(quán)）人 柔電（武漢）科技有限公司
代理機構(gòu) 北京眾達德權(quán)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 張曉冬
地址 430056湖北省武漢市沌口經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)新江大路8號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于材料表面包覆技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種原子層沉積前驅(qū)體用量的監(jiān)測系統(tǒng)及其方法與應(yīng)用，包括：橢偏儀或X射線反射儀，用于質(zhì)控體和基體以監(jiān)控包覆層厚度；氣體流量計，用于實時控制氣體流量；微分電化學(xué)質(zhì)譜，用于監(jiān)控尾氣成分；所述橢偏儀與原子層沉積反應(yīng)腔相鄰設(shè)置；所述質(zhì)控體與所述基體設(shè)于所述原子層沉積反應(yīng)腔內(nèi)，進行包覆處理；所述氣體流量計設(shè)于所述原子層沉積反應(yīng)腔內(nèi)壁，所述微分電化學(xué)質(zhì)譜與所述原子層沉積反應(yīng)腔的尾氣系統(tǒng)相連。對反應(yīng)程度進行實時檢測和反應(yīng)結(jié)束狀態(tài)進行預(yù)判，保證了基體和前驅(qū)體充分接觸反應(yīng)，實現(xiàn)對反應(yīng)進程的準確把控，對前驅(qū)體用量的精確控制，解決了ALD包覆生產(chǎn)中前驅(qū)體用量大和利用率低的問題。