一種半導體場效應管器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110792887.2 申請日 -
公開（公告）號 CN113257895B 公開（公告）日 2021-09-28
申請公布號 CN113257895B 申請公布日 2021-09-28
分類號 H01L29/06（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李振道;孫明光;朱偉東 申請（專利權(quán)）人 江蘇應能微電子股份有限公司
代理機構(gòu) 無錫市大為專利商標事務(wù)所（普通合伙） 代理人 曹祖良;陳麗麗
地址 213000江蘇省常州市新北區(qū)華山路8號-5號樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及半導體技術(shù)領(lǐng)域，具體公開了一種半導體場效應管器件，其中，包括：主動區(qū)和環(huán)繞所述主動區(qū)設(shè)置的終端區(qū)，所述主動區(qū)包括多個間隔設(shè)置的溝槽，每相鄰兩個溝槽之間的間距均相同且均為第一距離，所述終端區(qū)包括終端環(huán)，所述終端環(huán)在拐角位置的形狀為圓弧狀，所述終端環(huán)朝向溝槽且與所述溝槽的深度方向垂直的表面形成波浪狀，所述終端環(huán)形成波浪狀的表面到所述溝槽的端面距離為第二距離，所述第一距離與所述第二距離相同。本發(fā)明提供的半導體場效應管器件能夠提升半導體場效應管器件的抗擊穿能力。