一種半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管器件

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110792887.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113257895B 公開（公告）日 2021-09-28
申請(qǐng)公布號(hào) CN113257895B 申請(qǐng)公布日 2021-09-28
分類號(hào) H01L29/06（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李振道;孫明光;朱偉東 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江蘇應(yīng)能微電子股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 無錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 曹祖良;陳麗麗
地址 213000江蘇省常州市新北區(qū)華山路8號(hào)-5號(hào)樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體公開了一種半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管器件，其中，包括：主動(dòng)區(qū)和環(huán)繞所述主動(dòng)區(qū)設(shè)置的終端區(qū)，所述主動(dòng)區(qū)包括多個(gè)間隔設(shè)置的溝槽，每相鄰兩個(gè)溝槽之間的間距均相同且均為第一距離，所述終端區(qū)包括終端環(huán)，所述終端環(huán)在拐角位置的形狀為圓弧狀，所述終端環(huán)朝向溝槽且與所述溝槽的深度方向垂直的表面形成波浪狀，所述終端環(huán)形成波浪狀的表面到所述溝槽的端面距離為第二距離，所述第一距離與所述第二距離相同。本發(fā)明提供的半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管器件能夠提升半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管器件的抗擊穿能力。