降低正向?qū)妷汉蛯娮璧霓D(zhuǎn)向二極管結(jié)構和制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110964535.0 申請日 -
公開（公告）號 CN113410311A 公開（公告）日 2021-09-17
申請公布號 CN113410311A 申請公布日 2021-09-17
分類號 H01L29/861（2006.01）I;H01L29/45（2006.01）I;H01L21/329（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 朱偉東;趙泊然;王曉榮 申請（專利權）人 江蘇應能微電子股份有限公司
代理機構 無錫市興為專利代理事務所（特殊普通合伙） 代理人 屠志力
地址 213002江蘇省常州市新北區(qū)華山路8號-5號樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供提供了一種降低正向?qū)妷汉蛯娮璧霓D(zhuǎn)向二極管結(jié)構，包括：重摻雜第一導電類型襯底，在重摻雜第一導電類型襯底上生長有輕摻雜第一導電類型外延層；在輕摻雜第一導電類型外延層內(nèi)頂部設有第二導電類型重摻雜區(qū)；至少一圈隔離槽挖穿輕摻雜第一導電類型外延層，將轉(zhuǎn)向二極管器件區(qū)隔離出來，隔離槽內(nèi)填充有絕緣材料；在第二導電類型重摻雜區(qū)表面沉積有介質(zhì)層，并在介質(zhì)層中形成有接觸孔；在第二導電類型重摻雜區(qū)內(nèi)設有第二導電類型的表面注入?yún)^(qū)；在介質(zhì)層上生長有金屬層，所述金屬層填充接觸孔并與第二導電類型的表面注入?yún)^(qū)接觸。本發(fā)明還提供了降低正向?qū)妷汉蛯娮璧霓D(zhuǎn)向二極管的制造方法，有效降低了轉(zhuǎn)向二極管的正向?qū)妷汉蛯娮琛?/td>