溝槽原位摻雜多晶硅可控硅結(jié)構(gòu)的瞬態(tài)電壓抑制保護器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111047854.1 申請日 -
公開（公告）號 CN113497032A 公開（公告）日 2021-10-12
申請公布號 CN113497032A 申請公布日 2021-10-12
分類號 H01L27/02（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 朱偉東;趙泊然 申請（專利權(quán)）人 江蘇應能微電子股份有限公司
代理機構(gòu) 無錫市興為專利代理事務所（特殊普通合伙） 代理人 屠志力
地址 213002江蘇省常州市新北區(qū)華山路8號-5號樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種溝槽原位摻雜多晶硅可控硅結(jié)構(gòu)的瞬態(tài)電壓抑制保護器件，包括：P型襯底，在P型襯底上生長有N型外延；在N型外延上部左側(cè)制作有N型阱區(qū)，在N型外延上部右側(cè)制作有與N型阱區(qū)相切的P型阱區(qū)；在N型阱區(qū)表面之下內(nèi)部左側(cè)制作有第一N+區(qū)，右側(cè)制作有第一P+區(qū)；在P型阱區(qū)表面之下內(nèi)部左側(cè)制作有第二N+區(qū)，右側(cè)制作有第二P+區(qū)；在N型阱區(qū)和P型阱區(qū)交界處制作有第三N+區(qū)；在第一P+區(qū)內(nèi)刻蝕形成若干第一溝槽，通過原位摻雜P型多晶硅填充所述第一溝槽形成第三P+區(qū)；在第二N+區(qū)內(nèi)刻蝕形成若干第二溝槽，通過原位摻雜N型多晶硅填充所述第二溝槽形成第四N+區(qū)；本發(fā)明可提高橫向SCR器件的電流能力與魯棒性。