一種低電容雙向瞬態(tài)電壓抑制器結(jié)構(gòu)及其制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110740486.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113257807A 公開（公告）日 2021-08-13
申請(qǐng)公布號(hào) CN113257807A 申請(qǐng)公布日 2021-08-13
分類號(hào) H01L27/02（2006.01）I;H01L21/8222（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 朱偉東;趙泊然;江菲娜 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江蘇應(yīng)能微電子股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 無錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 曹祖良;陳麗麗
地址 213000江蘇省常州市新北區(qū)華山路8號(hào)-5號(hào)樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體公開了一種低電容雙向瞬態(tài)電壓抑制器結(jié)構(gòu)，其中，包括：第一雙向TVS二極管器件和第二雙向TVS二極管器件，第一雙向TVS二極管器件和第二雙向TVS二極管器件之間通過溝槽隔離，第一雙向TVS二極管器件和第二雙向TVS二極管器件均包括第一導(dǎo)電類型襯底，第一雙向TVS二極管器件還包括第二導(dǎo)電類型埋層、第二導(dǎo)電類型外延層以及第一導(dǎo)電類型摻雜區(qū)A；第二雙向TVS二極管器件還包括第二導(dǎo)電類型外延層、第二導(dǎo)電類型阱區(qū)以及第一導(dǎo)電類型摻雜區(qū)B。本發(fā)明還公開了一種低電容雙向瞬態(tài)電壓抑制器結(jié)構(gòu)的制作方法。本發(fā)明提供的低電容雙向瞬態(tài)電壓抑制器結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了在電性能上的雙向高靜電保護(hù)能力和低電容。