具有網(wǎng)格狀陰陽極溝槽結(jié)構(gòu)的瞬態(tài)電壓抑制保護(hù)器件
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202111047867.9 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN113488464A | 公開(公告)日 | 2021-10-08 |
申請公布號 | CN113488464A | 申請公布日 | 2021-10-08 |
分類號 | H01L27/02(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 朱偉東;趙泊然 | 申請(專利權(quán))人 | 江蘇應(yīng)能微電子股份有限公司 |
代理機構(gòu) | 無錫市興為專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) | 代理人 | 屠志力 |
地址 | 213002江蘇省常州市新北區(qū)華山路8號-5號樓 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提供一種具有網(wǎng)格狀陰陽極溝槽結(jié)構(gòu)的瞬態(tài)電壓抑制保護(hù)器件,包括:P型襯底,在P型襯底上生長有N型外延;在N型外延上部左側(cè)制作有N型阱區(qū),在N型外延上部右側(cè)制作有與N型阱區(qū)相切的P型阱區(qū);在N型阱區(qū)表面之下內(nèi)部左側(cè)制作有第一N+區(qū),右側(cè)制作有與第一N+區(qū)右側(cè)相切的第一P+區(qū);在P型阱區(qū)表面之下內(nèi)部左側(cè)制作有第二N+區(qū),右側(cè)制作有與第二N+區(qū)右側(cè)相切的第二P+區(qū);在N型阱區(qū)和P型阱區(qū)交界處制作有第三N+區(qū),用于形成觸發(fā)區(qū);在第一P+區(qū)內(nèi)設(shè)有網(wǎng)格狀的第一溝槽結(jié)構(gòu)將其分割成多個網(wǎng)格;在第二N+區(qū)內(nèi)設(shè)有網(wǎng)格狀的第二溝槽結(jié)構(gòu)將其分割成多個網(wǎng)格;該器件一方面能提高器件維持電壓Vh避免閂鎖,另一方面可使器件電流分布更加均勻,提高器件電流能力。 |
