雙向高壓瞬態(tài)電壓抑制器的結(jié)構(gòu)及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110964546.9 申請日 -
公開（公告）號 CN113421930A 公開（公告）日 2021-09-21
申請公布號 CN113421930A 申請公布日 2021-09-21
分類號 H01L29/861（2006.01）I;H01L21/329（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 朱偉東;趙泊然;陳德朋 申請（專利權(quán)）人 江蘇應(yīng)能微電子股份有限公司
代理機構(gòu) 無錫市興為專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 屠志力
地址 213002江蘇省常州市新北區(qū)華山路8號-5號樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種雙向高壓瞬態(tài)電壓抑制器的結(jié)構(gòu)，包括：重?fù)诫s第一導(dǎo)電類型襯底，在重?fù)诫s第一導(dǎo)電類型襯底上生長有一層第二導(dǎo)電類型外延層，與重?fù)诫s第一導(dǎo)電類型襯底形成PN結(jié)；在一層第二導(dǎo)電類型外延層頂部形成有第二導(dǎo)電類型中間埋層；在第二導(dǎo)電類型中間埋層上生長有另一層第二導(dǎo)電類型外延層；在另一層第二導(dǎo)電類型外延層頂部形成有重?fù)诫s第一導(dǎo)電類型區(qū)，與另一層第二導(dǎo)電類型外延層形成PN結(jié)；在重?fù)诫s第一導(dǎo)電類型區(qū)上設(shè)有介質(zhì)層；介質(zhì)層上形成有接觸孔，金屬層填充接觸孔并與重?fù)诫s第一導(dǎo)電類型區(qū)接觸；介質(zhì)層和金屬層表面覆蓋有鈍化層；在鈍化層中形成用于連接金屬層的空腔。本發(fā)明可以一顆芯片實現(xiàn)雙向高壓特性。