集成逆導(dǎo)二極管的可控硅版圖結(jié)構(gòu)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110920348.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113363253A 公開（公告）日 2021-09-07
申請(qǐng)公布號(hào) CN113363253A 申請(qǐng)公布日 2021-09-07
分類號(hào) H01L27/02（2006.01）I;H01L27/06（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 朱偉東;趙泊然 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江蘇應(yīng)能微電子股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 無錫市興為專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 屠志力
地址 213002江蘇省常州市新北區(qū)華山路8號(hào)-5號(hào)樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種集成逆導(dǎo)二極管的可控硅版圖結(jié)構(gòu)，包括N型襯底，在N型襯底右側(cè)部分的頂部區(qū)域制作有用于形成SCR器件的P型阱區(qū)；在N型襯底內(nèi)，P型阱區(qū)的前側(cè)制作有用于降低逆導(dǎo)二極管電阻的N型阱區(qū)；在P型阱區(qū)左側(cè)外部，N型阱區(qū)后側(cè)的N型襯底內(nèi)制作有形成陽極接觸的第一N+區(qū)和第一P+區(qū)；第一N+區(qū)在第一P+區(qū)的左側(cè)且兩者相切；在P型阱區(qū)內(nèi)部，制作有形成陰極接觸的第二N+區(qū)和第二P+區(qū)；第二N+區(qū)在第二P+區(qū)的左側(cè)且兩者相切；在P型阱區(qū)左邊界與N型襯底的邊界處，設(shè)有第三N+區(qū)跨接在此處；在N型阱區(qū)內(nèi)部，制作有用于逆導(dǎo)二極管D的第四N+區(qū)和第四P+區(qū)；該版圖布局簡(jiǎn)單，寄生參數(shù)少，成本低。