集成逆導(dǎo)二極管的可控硅瞬態(tài)電壓抑制保護(hù)器件結(jié)構(gòu)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110919920.3 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113380786A 公開(kāi)（公告）日 2021-09-10
申請(qǐng)公布號(hào) CN113380786A 申請(qǐng)公布日 2021-09-10
分類號(hào) H01L27/02（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 朱偉東;趙泊然 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江蘇應(yīng)能微電子股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 無(wú)錫市興為專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 屠志力
地址 213002江蘇省常州市新北區(qū)華山路8號(hào)-5號(hào)樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種集成逆導(dǎo)二極管的可控硅瞬態(tài)電壓抑制保護(hù)器件結(jié)構(gòu)，包括：P型襯底，在P型襯底上生長(zhǎng)有N型外延；在N型外延上方左側(cè)制作有N型阱區(qū)，在N型阱區(qū)右側(cè)與其相切制作有P型阱區(qū)；在N型阱區(qū)內(nèi)部表面制作有第一N+區(qū)以及與第一N+區(qū)右側(cè)相切的第一P+區(qū)；在P型阱區(qū)內(nèi)部表面制作有第二N+區(qū)以及與第二N+區(qū)右側(cè)相切的第二P+區(qū)；橫跨N型阱區(qū)和P型阱區(qū)交界處制作有一用于低電壓觸發(fā)的第三N+區(qū)，用于形成觸發(fā)區(qū)；在第三N+區(qū)與N型阱區(qū)中的第一P+區(qū)之間利用導(dǎo)線接有一個(gè)逆導(dǎo)二極管；逆導(dǎo)二極管陽(yáng)極與用于低電壓觸發(fā)的第三N+區(qū)相連，陰極與N型阱區(qū)中的第一P+區(qū)相連；本發(fā)明既不影響SCR的正向電容又能大大降低逆導(dǎo)二極管電阻。