等離子體發(fā)生裝置
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202020778076.8 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN211792195U | 公開(公告)日 | 2020-10-27 |
申請公布號 | CN211792195U | 申請公布日 | 2020-10-27 |
分類號 | H05H1/24(2006.01)I | 分類 | 其他類目不包含的電技術(shù); |
發(fā)明人 | 張宜東;蔡瓏元;尹志堯 | 申請(專利權(quán))人 | 中微惠創(chuàng)科技(上海)有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 上海元好知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 中微惠創(chuàng)科技(上海)有限公司 |
地址 | 201306上海市浦東新區(qū)南匯新城鎮(zhèn)竹柏路750號205室 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 一種等離子體發(fā)生裝置包括:陰極組件,包括陰極;陽極組件,包括陽極筒和導(dǎo)磁筒,所述陽極筒包括第一區(qū)和第二區(qū),所述陽極筒第一區(qū)的直徑大于第二區(qū)直徑,且所述第一區(qū)的中心到陰極底面的距離小于第二區(qū)的中心到陰極底面的距離,所述導(dǎo)磁筒環(huán)繞所述陽極筒的第二區(qū)的外部,所述導(dǎo)磁筒的內(nèi)徑小于所述陽極筒的第一區(qū)的外徑,所述導(dǎo)磁筒由若干個(gè)導(dǎo)磁部組成,每個(gè)所述導(dǎo)磁部內(nèi)設(shè)置至少一個(gè)凹槽,所述凹槽用于放置導(dǎo)磁體,所述陽極筒與陰極之間形成等離子體發(fā)生空間。所述導(dǎo)磁體的材料在磁導(dǎo)率較小的情況下就能對等離子體有較強(qiáng)的約束能力。?? |
